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电子元器件是构成电子设备和电路的基本单元，广泛应用于通信、计算机、消费电子、工业控制等领域。根据功能和特性，电子元器件可分为被动元件和主动元件两大类。

被动元件主要包括电阻、电容和电感。电阻用于限制电流或分压；电容具有储存电荷的能力，可用于滤波、耦合和去耦；电感则通过磁能存储能量，常用于滤波器和变压器中。这些元件不依赖外部电源工作，主要起到信号调节和能量存储的作用。

主动元件需要外部电源才能正常工作，包括半导体器件（如二极管、晶体管、场效应管）和集成电路（IC）。二极管用于整流和保护电路；晶体管是放大和开关的核心元件；场效应管以其低功耗和高输入阻抗的特点被广泛应用。集成电路将多个元件集成在一块芯片上，实现复杂的功能，例如运算放大器、微处理器和存储器等。

此外，还有一些特殊功能的元器件，如传感器、继电器、光电元件（如LED、光电二极管）、晶振和连接器等。传感器用于检测物理量并转化为电信号；继电器实现电气隔离和控制；光电元件完成光与电之间的转换；晶振提供精确的时间基准；连接器则确保电路间的可靠连接。

随着技术进步，电子元器件向小型化、高性能和低功耗方向发展。表面贴装技术（SMT）取代了传统插件式安装，显著提高了组装效率和可靠性。同时，新材料的应用（如碳纳米管和石墨烯）为未来电子元器件的发展提供了更多可能性。

：a按材质分：硅二极管和锗二极管； b按用途分：整流二极管，检波二极管，稳压二极管，发光二极管，光电二极管

管调制电压一般加到负极上，使变容二极管的内部结电容容量随调制电压的变化而变化。 变容二极管发生故障，主要表现为漏电或性能变差： （1）发生漏电现象时，高频调制电路将不工作或调制性能变差。 （2）变容性能变差时，高频调制电路的工作不稳定，使调制后的高频信号发送到对方被对方接 收后产生失真。 出现上述情况之一时，就应该更换同型号的变容二极管。 4.9稳压二极管的基本知识 a、稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。这 样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变 动时，负载两端的电压将基本保持不变。 b、故障特点：稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中， 前一种故障表现出电源电压升高；后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。 C、常用稳压二极管的型号及稳压值如下表： 型号 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N4750 1N4751 1N4761 稳压值3.3V3.6V3.9V4.7V5.1V5.6V6.2V15V27V30V75V 4.10 半导体二极管的伏安特性：二极管的基本特性是单向导电性（注：硅管的导通电压为

4.10半导体二极管的伏安特性：二极管的基本特性是单向导电性（注：硅管的导通电压） 0.6一0.8V；锗管的导通电压为0.2一0.3V)，而工程分析时通常采用的是0.7V 4.11半导体二极管的伏安特性曲线：（通过二极管的电流I与其两端电压U的关系曲线为二林 管的伏安特性曲线。）见图三

硅和籍管的伏安特性曲线

4.12半导体二极管的好坏判别：用万用表(指针表)R*100或R*1K档测量二极管的正， 反向电阻要求在1K左右，反向电阻应在100K以上.总之，正向电阻越小 越好.反向电阻越大越好.若正向电阻无穷大，说明二极管内部断路，若

反向电阻为零，表明二极管以击穿，内部断开或击穿的二极管均不能使 用

5.1半导体三极管英文缩写：Q/T 5.2半导体三极管在电路中常用“Q”加数字表示，如：Q17表示编号为17的三极管。 5.3半导体三极管特点：半导体三极管（简称晶体管）是内部含有2个PN结，并且具有放 大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三极管从工作特性上可互相 弥补，所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。 按材料来分可分硅和锗管，我国目前生产的硅管多为NPN型，锗管多为PNP型。

5.4半导体三极管放大的条件：要实现放大作用，必须给三极管加合适的电压，即管子 发射结必须具备正向偏压，而集电极必须反向偏压，这也是三极管的放大必须具备的外部条 件。 5.5半导体三极管的主要参数 a；电流放大系数：对于三极管的电流分配规律Ie=Ib+Ic,由于基极电流Ib的变化，使 集电极电流Ic发生更大的变化，即基极电流Ib的微小变化控制了集电极电流较大，这就是三 极管的电流放大原理。即B=△Ic/Ib。 b；极间反向电流，集电极与基极的反向饱和电流。 c；极限参数：反向击穿电压，集电极最大允许电流、集电极最大允许功率损耗。 5.6半导体三极管具有三种工作状态，放大、饱和、截止，在模拟电路中一般使用放大作 用。饱和和截止状态一般合用在数字电路中。 a:半导体三极管的三种基本的放大电路。

注：交流信号从基极输入，集电极输出，那发射极就叫公共极。 交流信号从基极输入，发射极输出，那集电极就叫公共极， 交流信号从发射极输入，集电极输出，那基极就叫公共极， 5.7用方用表判断半导体三极管的极性和类型(用指针式方用表). a;先选量程：R*100或R*1K档位. b;判别半导体三极管基极： 用方用表黑表笔固定三极管的某一个电极，红表笔分别接半导体三极管另外两各电极， 观察指针偏转，若两次的测量阻值都大或是都小，则改脚所接就是基极（两次阻值都小的 为NPN型管，两次阻值都大的为PNP型管），若两次测量阻值一大一小，则用黑笔重新固定 半导体三极管一个引脚极继续测量，直到找到基极。 c;.判别半导体三极管的c极和e极： 确定基极后，对于NPN管，用万用表两表笔接三极管另外两极，交替测量两次，若两次 测量的结果不相等，则其中测得阻值较小得一次黑笔接的是e极，红笔接得是c极（若是 PNP型管则黑红表笔所接得电极相反)。 d；判别半导体三极管的类型 如果已知某个半导体三极管的基极，可以用红表笔接基极，黑表笔分别测量其另外两个电 级引脚，如果测得的电阻值很大，则该三极管是NPN型半导体三极管，如果测量的电阻值都很小 则该三极管是PNP型半导体三极管 5.8现在常见的三极管大部分是塑封的，如何准确判断三极管的三只引脚哪个是b、C、e？ 三极管的b极很容易测出来，但怎么断定哪个是c哪个是e？ a；这里推荐三种方法：第一种方法：对于有测三极管hFE插孔的指针表，先测出b极后， 将三极管随意插到插孔中去（当然b极是可以插准确的)，测一下hFE值， b;然后再将管子倒过来再测一遍，测得hFE值比较大的一次，各管脚插入的位置是正确的， 第二种方法：对无hFE测量插孔的表，或管子太大不方便插入插孔的，可以用这种方法：对NPN 管，先测出b极（管子是NPN还是PNP以及其b脚都很容易测出，是吧？），将表置于RX1kΩ 档，将红表笔接假设的e极（注意拿红表笔的手不要碰到表笔尖或管脚)，黑表笔接假设的c极， 同时用手指捏住表笔尖及这个管脚，将管子拿起来，用你的舌尖舔一下b极，看表头指针应有 一定的偏转，如果你各表笔接得正确，指针偏转会大些，如果接得不对，指针偏转会小些，差 别是很明显的。由此就可判定管子的c、é极。对PNP管，要将黑表笔接假设的é极（手不要碰 到笔尖或管脚)，红表笔接假设的c极，同时用手指捏住表笔尖及这个管脚，然后用舌尖舔一下 ）极，如果各表笔接得正确，表头指针会偏转得比较大。当然测量时表笔要交换一下测两次， 比较读数后才能最后判定。这个方法适用于所有外形的三极管，方便实用。根据表针的偏转幅 度，还可以估计出管子的放大能力，当然这是凭经验的，

c;第三种方法：先判定管子的NPN或PNP类型及其b极后，将表置于RX10kQ档，对NPN管， 黑表笔接e极，红表笔接c极时，表针可能会有一定偏转，对PNP管，黑表笔接c极，红表笔 接e极时，表针可能会有一定的偏转，反过来都不会有偏转。由此也可以判定三极管的c、e极经干院办公楼屋面工程施工方案， 不过对于高耐压的管子，这个方法就不适用了。 对于常见的进口型号的大功率塑封管，其c极基本都是在中间（我还没见过b在中间的)， 中、小功率管有的b极可能在中间。比如常用的9014三极管及其系列的其它型号三极管、 2SC1815、2N5401、2N5551等三极管，其b极有的在就中间。当然它们也有c极在中间的。所 以在维修更换三极管时，尤其是这些小功率三 极管，不可拿来就按原样直接安上，一定要先测一下.

5.9半导体三极管的分类：a；按频率分：高频管和低频管 b；按功率分：小功率管，中功率管和的功率管 C；按机构分：PNP管和NPN管 d；按材质分：硅管和锗管 e；按功能分：开关管和放大 5.10半导体三极管特性：三极管具有放大功能（三极管是电流控制型器件一通过基极电 流或是发射极电流去控制集电极电流；又由于其多子和少子都可导电称为双极型元件）

一 O 0.40.60.8UmE(V) IB=0μA 截止区 2 输入特性曲线 O 1 2 4 6 8 UeE(V) 输出特性曲线 三极管各区的工作条件： 1．放大区：发射结正偏，集电结反偏： 2.饱和区：发射结正偏，集电结正偏； 3.截止区：发射结反偏，集电结反偏。 5.11半导体三极管的好坏检测 a;先选量程：R*100或R*1K档位 b;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值： 红表笔接基极，黑表笔接发射极，所测得阻值为发射极正向电阻值，若将黑表笔接集电 极(红表笔不动)，所测得阻值便是集电极的正向电阻值，正向电阻值愈小愈好， c;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的反向电阻值： 将黑表笔接基极，红表笔分别接发射极与集电极，所测得阻值分别为发射极和集电极的 反向电阻，反向电阻愈小愈好. d;测量NPN型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值的方法和测量PNP型半导体三 极管的方法相反。

个引脚分别表示为：G（栅极），D（漏机

第六节场效应管（MOS管）